RUC002N05
1,2 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RUC002N05T116
Status | Empfohlen
Gehäuse | SOT-23
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-23

Package Size[mm]

2.9x2.4 (t=0.95)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

50

Drain Current ID[A]

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)

2.4

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

2.0

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

2.4

Power Dissipation (PD)[W]

0.2

Drive Voltage[V]

1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Niederspannungsmotor (1,2 V)
· N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
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Schematic Design & Verification

  • Temperature derating method for Safe Operating Area (SOA)
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  • Method for Monitoring Switching Waveform
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