RUC002N05
1,2V-N-Kanal-MOSFET
RUC002N05
1,2V-N-Kanal-MOSFET
MOSFETs zeichnen sich durch ultra-niedrigen Einschaltwiderstand aus. Dies wird durch Mikroprozesstechnologien erreicht, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind. Es gibt eine breite Palette von Produkten, darunter kompakte, leistungsstarke und komplexe Typen, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-236AB (SOT-23)
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
2.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.2
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.4x2.9 (t=1.2)
Eigenschaften:
· Niederspannungs-Ansteuerung (1,2 V)· N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines Gehäuse für Oberflächenmontage
· Bleifrei/RoHS-konform
