RW4E065GN
N-Kanal 30V 6,5A, HEML1616L7, Leistungs-MOSFET
RW4E065GN
N-Kanal 30V 6,5A, HEML1616L7, Leistungs-MOSFET
Der RW4E065GN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und eignet sich für Schaltanwendungen.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN1616-7T
Number of terminal
7
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
6.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0251
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0182
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0251
Total gate charge Qg[nC]
2.1
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.63)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Kleines Hochleistungs-Spritzgussgehäuse (HEML1616L7)
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
Produktvideo & Katalog
