RXH090N03
4V-N-Kanal-MOSFET
RXH090N03
4V-N-Kanal-MOSFET
MOSFETs werden mit extrem niedrigem Einschaltwiderstand durch Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für mobile Geräte mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Verfügbar in einem breiten Sortiment, das Kompakt-, Hochleistungs- und Komplextypen umfasst, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
9
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.017
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.019
Total gate charge Qg[nC]
6.8
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
Eigenschaften:
· 4V-Treibertyp· N-Kanal-Mittelstrom-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
