RAQ045P01
1,5 V Antriebs-Pch-MOSFET

MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RAQ045P01TCR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-457T

JEITA Package

SC-95

Package Size[mm]

2.9x2.8 (t=1.0)

Applications

Switching

Number of terminal

6

Polarity

Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-12

Drain Current ID[A]

-4.5

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

0.05

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.028

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.022

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.05

Total gate charge Qg[nC]

40.0

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

-1.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Niederspannungsmotor (1,5 V)
· P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
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Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • Temperature derating method for Safe Operating Area (SOA)
  • Calculation of Power Dissipation in Switching Circuit
  • Method for Monitoring Switching Waveform
  • Importance of Probe Calibration When Measuring Power: Deskew
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Thermal Design

  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • Two-Resistor Model for Thermal Simulation
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
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  • Measurement Method and Usage of Thermal Resistance RthJC
  • Precautions When Measuring the Rear of the Package with a Thermocouple

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