RD3G01BAT (Neues Produkt)
Pch -40 V -15 A Leistungs-MOSFET

Der RD3G01BAT ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RD3G01BATTL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-252 (DPAK)

Package Size [mm]

6.6x9.9 (t=2.4)

JEITA Package

SC-63

Number of terminal

3

Polarity

Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-40

Drain Current ID[A]

-15.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.038

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.031

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.038

Total gate charge Qg[nC]

9.5

Power Dissipation (PD)[W]

25.0

Drive Voltage[V]

-4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • Fast switching speed
  • Drive circuits can be simple
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant