RD3G01BAT
P-Kanal -40V -15A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET
RD3G01BAT
P-Kanal -40V -15A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET
Der RD3G01BAT ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-40
Drain Current ID[A]
-15
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.038
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.031
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.038
Total gate charge Qg[nC]
9.5
Power Dissipation (PD)[W]
25
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.9x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Treiberschaltungen können einfach sein
- Parallele Nutzung ist einfach
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
