RD3G03BAT
Pch -40 V -35 A Leistungs-MOSFET
RD3G03BAT
Pch -40 V -35 A Leistungs-MOSFET
Der RD3G03BAT ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-40
Drain Current ID[A]
-35
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0185
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.015
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0185
Total gate charge Qg[nC]
19.5
Power Dissipation (PD)[W]
56
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.6x10.0 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- Fast switching speed
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
- Pb-free plating ; RoHS compliant
