RD3H080SP
Pch -45V -8A Leistungs-MOSFET
RD3H080SP
Pch -45V -8A Leistungs-MOSFET
Der RD3H080SP ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlassiwderstand für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-45
Drain Current ID[A]
-8
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.105
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.095
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.065
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.105
Total gate charge Qg[nC]
9
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.6x10.0 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Low on-resistance.
- Fast switching speed.
- Drive circuits can be simple.
- Parallel use is easy.
- Pb-free plating ; RoHS compliant