RD3H080SP
P-Kanal -45V -8A Leistungs-MOSFET
RD3H080SP
P-Kanal -45V -8A Leistungs-MOSFET
Der RD3H080SP ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, geeignet für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-45
Drain Current ID[A]
-8
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.105
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.095
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.065
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.105
Total gate charge Qg[nC]
9
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.9x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchlasswiderstand.
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit.
- Treiberschaltungen können einfach gestaltet werden.
- Parallele Nutzung ist einfach.
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
