RD3N045AT
P-Kanal -80V -4.5A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET
RD3N045AT
P-Kanal -80V -4.5A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET
Der RD3N045AT ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schalt- und Motorantriebsanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-80
Drain Current ID[A]
-4.5
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.59
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.51
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.59
Total gate charge Qg[nC]
4
Power Dissipation (PD)[W]
17
Drive Voltage[V]
-6
trr (Typ.)[ns]
28
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.9x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Hochleistungsgehäuse (TO-252)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- Halogenfrei
