RD3P02BAT
P-Kanal -100V -20A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET
RD3P02BAT
P-Kanal -100V -20A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET
Der RD3P02BAT ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Durchgangswiderstand, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-100
Drain Current ID[A]
-20
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.089
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.1
Total gate charge Qg[nC]
25
Power Dissipation (PD)[W]
56
Drive Voltage[V]
-6
trr (Typ.)[ns]
37
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.9x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungs-Spritzgussgehäuse
- Bleifreie Beschichtung ; RoHS-konform
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- Halogenfrei
