RE1E002SP
4V Drive P-Kanal MOSFET
RE1E002SP
4V Drive P-Kanal MOSFET
MOSFETs werden in Mikroprozessortechnologien mit extrem niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die sich für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch eignen. Sie sind in einem breiten Sortiment erhältlich, einschließlich Kompakt-, Hochleistungs- und Komplextypen, um den Marktanforderungen gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-416FL
JEITA Package
SC-89
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-0.25
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.85)
Eigenschaften:
· 4V-Antriebstyp· P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines SMD-Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
