RF4E075AT
P-Kanal -30V -7,5A Leistungs-MOSFET
RF4E075AT
P-Kanal -30V -7,5A Leistungs-MOSFET
Der RF4E075AT mit kleinem Hochleistungs-Spritzgussgehäuse eignet sich für Schalt- und Lastschalteranwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-7.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0244
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0167
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0244
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
Eigenschaften:
・ Geringer Einschaltwiderstand.・ Hochleistungs-Small-Mold-Gehäuse (HUML2020L8)
・ Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
・ Halogenfrei
Produktvideo & Katalog
