RF4G060AT
Pch -40 V -6 A DFN2020 Leistungs-MOSFET

Der RF4G060AT ist ein MOSFET im DFN-Gehäuse für Schalt- und Lastschaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RF4G060ATTCR
Status | Aktiv
Gehäuse | HUML2020L8 (Single)
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

DFN2020-8S

Number of terminal

8

Polarity

Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-40

Drain Current ID[A]

-6

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.04

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.032

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.04

Total gate charge Qg[nC]

8.5

Power Dissipation (PD)[W]

2

Drive Voltage[V]

-4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

2x2 (t=0.65)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High power small mold package (HUML2020L8)
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
  • Halogen Free
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