ROHM Product Detail

RF4G060AT
P-Kanal -40V -6A Power, DFN2020, MOSFET

Der RF4G060AT ist ein DFN-Gehäuse-MOSFET, der sich für Schalt- und Lastschalteranwendungen eignet.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RF4G060ATTCR
Status | Aktiv
Gehäuse | HUML2020L8 (Single)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

DFN2020-8S

Number of terminal

8

Polarity

P

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-40

Drain Current ID[A]

-6

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.04

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.032

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.04

Total gate charge Qg[nC]

8.5

Power Dissipation (PD)[W]

2

Drive Voltage[V]

-4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.0x2.0 (t=0.65)

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Eigenschaften:

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  • Kleines Hochleistungsformgehäuse (HUML2020L8)
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Produktvideo & Katalog

 
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