RF4P025AT
P-Kanal -100V -2.5A Leistungs-MOSFET
RF4P025AT
P-Kanal -100V -2.5A Leistungs-MOSFET
Der RF4P025AT ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der für Schalt- und Lastschalter geeignet ist.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-100
Drain Current ID[A]
-2.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.22
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.22
Total gate charge Qg[nC]
10.2
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Gehäuse mit hoher Leistung (HUML2020L8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
