RJ1P10BAT (Neues Produkt)
P-Kanal -100 V -105 A, TO-263AB, Leistungs-MOSFET
RJ1P10BAT (Neues Produkt)
P-Kanal -100 V -105 A, TO-263AB, Leistungs-MOSFET
Der RJ1P10BAT ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schalt- und Motorantriebsanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-100
Drain Current ID[A]
-105
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0104
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0094
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0104
Total gate charge Qg[nC]
255
Power Dissipation (PD)[W]
201
Drive Voltage[V]
-6
trr (Typ.)[ns]
62
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Hochleistungsgehäuse (TO263AB)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg- und UIS-getestet
