RQ3E075AT
P-Kanal -30V -18A Mittelleistungs-MOSFET
RQ3E075AT
P-Kanal -30V -18A Mittelleistungs-MOSFET
RQ3E075AT ist ein Hochleistungs-MOSFET im kleinen Gehäuse (HSMT8) für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-18
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.026
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0174
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.026
Total gate charge Qg[nC]
10.4
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand.
- Kleines Hochleistungsformgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform.
- Halogenfrei
