RQ3E100AT
P-Kanal –30 V –31 A Leistungs-MOSFET
RQ3E100AT
P-Kanal –30 V –31 A Leistungs-MOSFET
Der RQ3E100AT ist ein hochzuverlässiger Transistor, der sich für Schaltanwendungen eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-31
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0131
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.009
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0131
Total gate charge Qg[nC]
21
Power Dissipation (PD)[W]
17
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand.
- Kleines Hochleistungs-Formgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform.
- Halogenfrei
