RQ3E120AT
Pch-Mittelleistungs-MOSFET -30 V -12 A
RQ3E120AT
RQ3E120AT
Pch-Mittelleistungs-MOSFET -30 V -12 A
MOSFET RQ3E120AT mit Mittelleistung ist für Schaltnetzteile geeignet.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0087
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0061
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0087
Total gate charge Qg[nC]
33
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.8)
Eigenschaften:
· Kleiner Durchlasswiderstand· Hochleistungs-Small-Mold-Gehäuse (HSMT8)
· Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
· Halogenfrei
