ROHM Product Detail

RQ3E120AT
Pch-Mittelleistungs-MOSFET -30 V -12 A

MOSFET RQ3E120AT mit Mittelleistung ist für Schaltnetzteile geeignet.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ3E120ATTB
Status | Aktiv
Gehäuse | HSMT8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-39

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0087

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0061

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0087

Total gate charge Qg[nC]

33

Power Dissipation (PD)[W]

20

Drive Voltage[V]

-4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.9)

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