RQ3E120AT
Pch-Mittelleistungs-MOSFET -30 V -12 A
RQ3E120AT
Pch-Mittelleistungs-MOSFET -30 V -12 A
MOSFET RQ3E120AT mit Mittelleistung ist für Schaltnetzteile geeignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0087
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0061
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0087
Total gate charge Qg[nC]
33
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
· Kleiner Durchlasswiderstand· Hochleistungs-Small-Mold-Gehäuse (HSMT8)
· Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
· Halogenfrei