RQ3N025AT (Neues Produkt)
Pch -80V -2.5A, HSMT8, Leistungs-MOSFET
RQ3N025AT (Neues Produkt)
Pch -80V -2.5A, HSMT8, Leistungs-MOSFET
Der RQ3N025AT ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schalt- und Motorantriebsanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-80
Drain Current ID[A]
-7
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.22
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.185
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.22
Total gate charge Qg[nC]
8.2
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
-6
trr (Typ.)[ns]
28
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungs-Spritzgussgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg und UIS getestet
