RQ3N060AT
P-Kanal –80 V –18 A, HSMT8, Power-MOSFET
RQ3N060AT
P-Kanal –80 V –18 A, HSMT8, Power-MOSFET
Der RQ3N060AT ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchgangswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, der sich für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-80
Drain Current ID[A]
-18
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.046
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.046
Total gate charge Qg[nC]
32
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
-6
trr (Typ.)[ns]
35
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchgangswiderstand
- Kleines Hochleistungsformgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- Halogenfrei
