ROHM Product Detail

RQ5A030AP
P-Kanal -12V -3A Mittel-Leistungs-MOSFET

Der RQ5A03AP ist ein Hochleistungs-MOSFET in einem kleinen Gehäuse für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ5A030APTL
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT3
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-346T

JEITA Package

SC-96

Applications

Switching

Number of terminal

3

Polarity

P

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-12

Drain Current ID[A]

-3

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)

0.09

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)

0.075

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

0.055

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.044

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.09

Total gate charge Qg[nC]

16

Power Dissipation (PD)[W]

1

Drive Voltage[V]

-1.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.8x2.9 (t=1.0)

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