RQ7A060ZP (Neues Produkt)
P-Kanal -12V -6A, TSMT8, Leistungs-MOSFET
RQ7A060ZP (Neues Produkt)
P-Kanal -12V -6A, TSMT8, Leistungs-MOSFET
Der RQ7A060ZP ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse (TSMT8), der sich für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-12
Drain Current ID[A]
-6
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
0.039
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.022
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.016
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.039
Total gate charge Qg[nC]
34
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-1.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform.
- Halogenfrei
- Integrierte G-S Schutzdiode
