RQ7A070AP (Neues Produkt)
P-Kanal -12 V -7 A, TSMT8, Power-MOSFET
RQ7A070AP (Neues Produkt)
P-Kanal -12 V -7 A, TSMT8, Power-MOSFET
Der RQ7A070AP ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse (TSMT8), der sich für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-12
Drain Current ID[A]
-7
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
0.024
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.018
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.013
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.01
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.024
Total gate charge Qg[nC]
80
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-1.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform.
- Halogenfrei
- Integrierte G-S-Schutzdiode
