RQ7A070ZP (Neues Produkt)
P-Kanal -12V -7A, TSMT8, Power MOSFET
RQ7A070ZP (Neues Produkt)
P-Kanal -12V -7A, TSMT8, Power MOSFET
Der RQ7A070ZP ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse (TSMT8), geeignet für Schalt- und Motorantriebsanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-12
Drain Current ID[A]
-7
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.015
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.011
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.008
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.019
Total gate charge Qg[nC]
58
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-1.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform.
- Halogenfrei
- Integrierte G-S-Schutzdiode
- Niederspannungsansteuerung (1,5V)
