RQ7E055AT
P-Kanal -30V -5.5A Mittelleistungs-MOSFET
RQ7E055AT
P-Kanal -30V -5.5A Mittelleistungs-MOSFET
Der RQ7E055AT im kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse ist für Schaltanwendungen geeignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-5.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0282
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0193
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0282
Total gate charge Qg[nC]
9.4
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand.
- Kleines Oberflächenmontagegehäuse (TSMT8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
