RQ7G080AT
P-Kanal -40V -8A Kleinsignal-Leistungs-MOSFET
RQ7G080AT
P-Kanal -40V -8A Kleinsignal-Leistungs-MOSFET
RQ7G080AT ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, geeignet für Schalt- und Lastschalteranwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-40
Drain Current ID[A]
-8
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0181
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0147
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0181
Total gate charge Qg[nC]
18
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
