RS1N110AT
P-Kanal -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET
RS1N110AT
P-Kanal -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET
Der RS1N110AT ist ein Power MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem kleinen, leistungsstarken Gehäuse, der sich für Schalt- und Motorantriebe eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-80
Drain Current ID[A]
-43
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0174
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0163
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0174
Total gate charge Qg[nC]
83
Power Dissipation (PD)[W]
40
Drive Voltage[V]
-6
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg und UIS getestet
