ROHM Product Detail

RSM002P03
4V-Drive-P-Kanal-MOSFET

MOSFETs zeichnen sich durch einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand aus, der durch Mikroprozessortechnologien erreicht wird. Diese eignen sich für mobile Geräte mit niedrigem Stromverbrauch. Eine breite Produktpalette, einschließlich kompakter Bauweisen, Hochleistungstypen und komplexer Bauweisen, ist auf dem Markt erhältlich.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RSM002P03T2L
Status | Empfohlen
Gehäuse | VMT3
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-723

JEITA Package

SC-105AA

Number of terminal

3

Polarity

P

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-0.2

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

1.4

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.9

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

1.6

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

-4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

1.2x1.2 (t=0.55)

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Eigenschaften:

· 4V-Antriebstyp
· P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
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