RU1C001ZP
P-Kanal-MOSFET mit 1,2 V Ansteuerung
RU1C001ZP
P-Kanal-MOSFET mit 1,2 V Ansteuerung
MOSFETs werden in einem breiten Sortiment von kompakten, Hochleistungs- und komplexen Typen angeboten, um den Marktanforderungen gerecht zu werden. Die Mikroprozessortechnologie ermöglicht einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, der für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet ist.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-323FL
JEITA Package
SC-85
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-20
Drain Current ID[A]
-0.1
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
10
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
6
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
4.8
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
3.4
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
2.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
10
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
-1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=1.05)
Eigenschaften:
· Typ mit Niederspannungsansteuerung (1,2V)· P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines SMD-Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
