RX3P12BAT
P-Kanal -100 V, -120 A Leistungs-MOSFET
RX3P12BAT
P-Kanal -100 V, -120 A Leistungs-MOSFET
Der RX3P12BAT ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der sich für Schaltanwendungen eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-220AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-100
Drain Current ID[A]
-120
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0105
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0094
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0105
Total gate charge Qg[nC]
255
Power Dissipation (PD)[W]
201
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
62
Mounting Style
Leaded type
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.35x10.16 (t=4.64)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungs-Formgehäuse (TO220AB)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- 100 % UIS-geprüft
