ROHM Product Detail

BM3GF01MUV-LBZ (In Entwicklung)
Leistungsfaktorkorrektur-Controller-IC mit integriertem 650 V GaN HEMT

Dieses Produkt ist ein Spitzenprodukt für den industriellen Markt und eignet sich hervorragend für den Einsatz in diesen Anwendungen. Der BM3GF01MUV-LBZ und der BM3GF02MUV-LBZ umfassen den 650 V GaN HEMT und den Leistungsfaktorkorrekturwandler (Power Factor Correction: PFC), die als Schaltgeräte dienen, um ein kompaktes, optimales System für alle Produkte bereitzustellen, die eine Leistungsfaktorkorrektur erfordern. Die Grenzleitungsmodussteuerung wird für den PFC-IC übernommen. Durch Nullstromerkennung werden Schaltverluste und Rauschen minimiert. Der integrierte GaN HEMT trägt zur Miniaturisierung und hohen Effizienz bei. Zusätzlich ermöglicht dieser IC die externe Steuerung des PFC-EIN/AUS durch die Kombination von ROHMs QR-IC mit integriertem GaN HEMT. Er trägt zu einem geringen Standby-Stromverbrauch bei, indem der PFC im Standby-Betrieb gestoppt wird, wenn der PFC nicht benötigt wird.

Produktdetails

 
Teilenummer | BM3GF01MUV-LBZE2
Status | In Entwicklung
Gehäuse | VQFN41V8080K
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Controller Type

PFC

Channel

1

Zero Detect

Auxiliary Winding

W/W Input IEC61000-3-2 Class-C Support

Yes (LowTHD)

Vin1 (Typ.)[V]

2.5

Reference Voltage Accuracy (%)

1.5

Brown Out

No

VCC Discharge

Yes

OVP System

1 way

FET

-

VS Pin Over Voltage Protection (L/A)

Auto Restart

Vin1(Max.)[V]

38

VS Short Protection (L/A)

Auto Restart

BR PIN

No

Startup VOUT Overshoot Countermeasure Function

Yes

SW Frequency (Max.)[kHz]

250

Light Load mode

Yes

EN

Yes

Thermal Shut-down

Yes

Vmax (DrainMax) [V]

650

FET Withstand Voltage [V]

650

Under Voltage Lock Out

Yes

On Resistor (MOSFET)[Ω]

0.15

Operating Temperature (Min.)[°C]

-40

Operating Temperature (Max.)[°C]

125

Package Size [mm]

8.0x8.0 (t=1.0)

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Eigenschaften:

  • Integrierter 650 V spannungsfester GaN-HEMT
  • Integrierter 650 V Startstromkreis
  • PFC im Boundary Conduction Mode
  • Pin zur Einstellung der Flankensteilheit beim Ausschalten
  • Integrierte Low-THD-Schaltung
  • EIN/AUS-Steuerung mit PFCOFF-Pin
  • UVLO-Funktion des VCC-Pins
  • ZCD über Hilfswicklung
  • Statische OVP-Funktion über VS-Pin
  • Eingangskurzschlussschutz des Fehlerverstärkers über VS-Pin
  • Überspannungs-Boost-Reduzierungsfunktion beim Start
  • Überstromschutz pro Zyklus
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