BD1HCU50EFJ-C
1-Kanal-High-Side-Schalter der IPS-Serie für die Automobilindustrie

BD1HCU50EFJ-C ist ein 1-Kanal-High-Side-Schalter für die Automobilindustrie. Er verfügt über eine integrierte Überstromschutzschaltung, eine thermische Abschaltschaltung (TSD), eine Schaltung zur Erkennung von offener Last, eine Schaltung zur Sperrung bei Unterspannung und eine Diagnosefunktion (ST) bei der Erkennung von Anomalien.

Dieser IC verwendet eine andere Produktionslinie als das Serienmodell BD1HC500EFJ-C, um die Produktionseffizienz zu verbessern. Wir empfehlen die Verwendung dieses ICs für Ihre Neuentwicklung. Die im Datenblatt angegebenen elektrischen Eigenschaften unterscheiden sich nicht zwischen den Produktionslinien.

Produktdetails

 
Teilenummer | BD1HCU50EFJ-CE2
Status | Empfohlen
Gehäuse | HTSOP-J8
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Funktionalen Sicherheit:

Kategorie : FS supportive
A product that has been developed for automotive use and is capable of supporting safety analysis with regard to the functional safety.

Spezifikationen:

Generation

GEN1

Function

Standard / Error Flag

Channel Number [ch]

1

Drain-Source Voltage (Max.)[V]

44.5

Output Current[A]

0.8

ON Resistance(Typ.)[mΩ]

500

Over Current Detect [A]

0.8

Active Clamp Energy [mJ]

33

UVLO Detection Voltage(Max.)[V]

3.6

Supply Voltage(Min.)[V]

4

Supply Voltage(Max.)[V]

18

Current consumption(Typ.)[µA]

1500

Thermal Shut Down

Off-Latch

Open Load Detect [V]

2.8

Status Terminal

Available

Junction Temperature Tj (Min.)[°C]

-40

Junction Temperature Tj (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

4.9x6 (t=1)

Common Standard

AEC-Q100 (Automotive Grade)

Find Similar

Eigenschaften:

  • Integrierte Überstrom-Schutzschaltung
  • Integrierte thermische Abschaltung (TSD)
  • Integrierte Drahtbrucherkennungsschaltung (wenn Ausgang AUS)
  • Möglichkeit der Direktsteuerung durch CMOS-Logik IC
  • Niedriger Standby-Stromverbrauch
  • Integrierte Unterspannungsabschaltung
  • BIntegrierte Diagnoseausgangsfunktion (ST)
  • Niedriger Einschaltwiderstand RDS (EIN) =500 mΩ (Typ) (VDD=12 V, Ta=25°C, IAusgang=0, 25 A)
  • Monolithische Leistung IC mit integrierter Steuereinheit (CMOS) und Leistungs-MOSFET in einem Chip
  • 1-Kanal High-Side-Schalter zur Ansteuerung der mechanischen Relaisspule
  • AEC-Q100 qualified
X

Most Viewed