BD1HDU50EFJ-C
Automotive IPS-Serie 1-Kanal-High-Side-Schalter

BD1HDU50EFJ-C ist ein 1-Kanal-High-Side-Schalter für die Automobilindustrie. Er verfügt über eine eingebaute Überstromschutzschaltung, eine thermische Abschaltschaltung (TSD), eine Schaltung zur Erkennung von offener Last, eine Schaltung zur Sperrung bei Unterspannung und eine Diagnosefunktion (ST) bei der Erkennung von Anomalien.

Dieser IC verwendet eine andere Produktionslinie als das Serienmodell BD1HD500EFJ-C, um die Effizienz der Produktion zu verbessern. Wir empfehlen die Verwendung dieses ICs für Ihre Neuentwicklung. Die im Datenblatt angegebenen elektrischen Eigenschaften unterscheiden sich nicht zwischen den Produktionslinien.

Produktdetails

 
Teilenummer | BD1HDU50EFJ-CE2
Status | Empfohlen
Gehäuse | HTSOP-J8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Funktionalen Sicherheit:

Kategorie : FS supportive
A product that has been developed for automotive use and is capable of supporting safety analysis with regard to the functional safety.

Spezifikationen:

Type

High side switches

Generation

GEN1

Qualification Grade

AEC-Q100 (Automotive Grade)

Feature

Standard / Error Flag

Overcurrent Protection

Hiccup

Thermal Shut Down

Self-restart

Channel Number [ch]

1

ON Resistance(Typ.)[mΩ]

500

Nominal Current(Typ.)[A]

0.8

Supply Voltage(Min.)[V]

4

Supply Voltage(Max.)[V]

18

Drain-Source Voltage (Max.)[V]

44.5

Single Pulse Energy 25°C [mJ]

33

Over Current Limit (Min.)[A]

0.8

Under voltage Detection Level(Max.)[V]

3.6

Current consumption(Typ.)[µA]

1500

Open Load Detect [V]

2.8

Junction Temperature Tj (Min.)[°C]

-40

Junction Temperature Tj (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

4.9x6 (t=1)

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Eigenschaften:

  • Integrierte Überstrom-Schutzschaltung
  • Integrierte thermische Abschaltung (TSD)
  • Integrierte Drahtbrucherkennungsschaltung (wenn Ausgang AUS)
  • Möglichkeit der Direktsteuerung durch CMOS-Logik IC
  • Niedriger Standby-Stromverbrauch
  • Integrierte Unterspannungsabschaltung
  • BIntegrierte Diagnoseausgangsfunktion (ST)
  • Niedriger Einschaltwiderstand RDS (EIN) =500 mΩ (Typ) (VDD=12 V, Ta=25°C, IAusgang=0, 25 A)
  • Monolithische Leistung IC mit integrierter Steuereinheit (CMOS) und Leistungs-MOSFET in einem Chip
  • 1-Kanal High-Side-Schalter zur Ansteuerung der mechanischen Relaisspule
  • AEC-Q100 qualified
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