BM2LE250FJ-C
Automobil-IPD 2-Kanal-Low-Side-Schalter mit Ausgangsdiagnosefunktion
BM2LE250FJ-C
Automobil-IPD 2-Kanal-Low-Side-Schalter mit Ausgangsdiagnosefunktion
BM2LE250FJ-C ist ein 2-Kanal-Low-Side-Schalter-IC für 12-V-Automobilanwendungen. Er verfügt über integrierte OCP-, Dual-TSD- und Active-Clamp-Funktionen und ist außerdem mit einer Ausgangsdiagnosefunktion für TSD ausgestattet.
Produktdetails
Funktionalen Sicherheit:
Spezifikationen:
Type
Low side switches
Generation
GEN2
Qualification Grade
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Feature
Standard / Error Flag
Overcurrent Protection
Limitation
Thermal Shut Down
Self-restart
Channel Number [ch]
2
ON Resistance(Typ.)[mΩ]
250
ON Resistance(Max.)[mΩ]
625
Nominal Current(Typ.)[A]
3
Supply Voltage(Min.)[V]
3
Supply Voltage(Max.)[V]
5.5
Drain-Source Voltage (Max.)[V]
40
Single Pulse Energy 25°C [mJ]
500
Over Current Limit (Min.)[A]
3
Under voltage Detection Level(Max.)[V]
3
Current consumption(Typ.)[µA]
100
Junction Temperature Tj (Min.)[°C]
-40
Junction Temperature Tj (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
4.9x6 (t=1.65)
Eigenschaften:
- Built-in Dual TSD®(This IC has thermal shutdown(Junction temperature detect) and ΔTj Protection(Power-MOS steep temperature rising detect))
- AEC-Q100 Qualified(Grade1)
- Built-in Over Current Protection Function(OCP)
- Built-in Active Clamp Function
- Direct Control Enabled from CMOS Logic IC, etc.
- On Resistance RDS(ON) = 250mΩ(Typ)
(when VIN = 5V, IOUT = 0.5A, Tj = 25℃) - Monolithic Power Management IC with the Control Block(CMOS) and Power MOS FET Mounted on a Single Chip