BV1LB080FJ-C (In Entwicklung)
Automotive IPD 1-Kanal-Low-Side-Schalter
BV1LB080FJ-C (In Entwicklung)
Automotive IPD 1-Kanal-Low-Side-Schalter
BV1LB080FJ-C ist ein 1-Kanal-Low-Side-Schalter-IC für 12-V-Automobilanwendungen. Er verfügt über eine integrierte OCP-, Dual TSD- und Active-Clamp-Funktion.
Produktdetails
Funktionalen Sicherheit:
Spezifikationen:
Type
Low side switches
Generation
GEN2
Qualification Grade
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Feature
Standard / Error Flag
Overcurrent Protection
Limitation
Thermal Shut Down
Self-restart
Channel Number [ch]
1
ON Resistance(Typ.)[mΩ]
80
ON Resistance(Max.)[mΩ]
200
DC Output Current @Ta=85℃ [A]
2
Supply Voltage(Min.)[V]
3
Supply Voltage(Max.)[V]
5.5
Drain-Source Voltage (Max.)[V]
40
Single Pulse Energy 25°C [mJ]
200
Over Current Limit (Min.)[A]
13
Under voltage Detection Level(Max.)[V]
3
Current consumption(Typ.)[µA]
100
Junction Temperature Tj (Min.)[°C]
-40
Junction Temperature Tj (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
4.9x6.0 (t=1.65)
Eigenschaften:
- Eingebautes Dual TSD*1
- AEC-Q100-qualifiziert (Grade1)
- Funktionale Sicherheit unterstützende Automobilprodukte
- Eingebaute Überstromschutzfunktion (OCP)
- Eingebaute aktive Klemmfunktion
- Direkte Steuerung von CMOS-Logik-ICs usw. möglich
- Durchlasswiderstand RDS(ON) = 80mΩ (typ.) (VIN = 5V, Iout = 0.5A, Tj = 25℃)
- Monolithischer Power Management IC mit dem Steuerblock (CMOS) und Power MOS FET auf einem einzigen Chip montiert
*1 Dieser IC verfügt über einen thermischen Abschaltschutz (Erkennung der Sperrschichttemperatur) und einen ΔTj-Schutz (Erkennung eines steilen Temperaturanstiegs des Power-MOS-FET).
