BV1LE160EFJ-C
IPD 1-kanaliger Low-Side-Schalter mit Ausgangsdiagnosefunktion für die Automobilindustrie
BV1LE160EFJ-C
IPD 1-kanaliger Low-Side-Schalter mit Ausgangsdiagnosefunktion für die Automobilindustrie
Der BV1LE160EFJ-C ist ein 1-Kanal Low-Side-Switch für 12V-Automobilanwendungen. Er verfügt über eine integrierte OCP-, Dual-TSD- und Active-Clamp-Funktion. Es ist mit einer Ausgangsdiagnosefunktion für TSD ausgestattet.
Produktdetails
Funktionalen Sicherheit:
Spezifikationen:
Type
Low side switches
Generation
GEN2
Qualification Grade
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Feature
Standard / Error Flag
Overcurrent Protection
Limitation
Thermal Shut Down
Self-restart
Channel Number [ch]
1
ON Resistance(Typ.)[mΩ]
160
ON Resistance(Max.)[mΩ]
400
Nominal Current(Typ.)[A]
5
Supply Voltage(Min.)[V]
3
Supply Voltage(Max.)[V]
5.5
Drain-Source Voltage (Max.)[V]
40
Single Pulse Energy 25°C [mJ]
90
Over Current Limit (Min.)[A]
5
Under voltage Detection Level(Max.)[V]
3
Current consumption(Typ.)[µA]
100
Junction Temperature Tj (Min.)[°C]
-40
Junction Temperature Tj (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
4.9x6 (t=1)
Eigenschaften:
- Built-in Dual TSD(This IC has thermal shutdown(Junction temperature detect) and ΔTj Protection(Power-MOS steep temperature rising detect))
- AEC-Q100 Qualified(Grade1)
- Built-in Over Current Protection Function(OCP)
- Built-in Active Clamp Function
- Direct Control Enabled from CMOS Logic IC, etc.
- On Resistance RDS(ON) = 160mΩ(Typ)
(when VIN = 5V, IOUT = 1.0A, Tj = 25℃) - Monolithic Power Management IC with the Control Block(CMOS) and Power MOS FET Mounted on a Single Chip
