BV1LE160EFJ-C
IPD 1-kanaliger Low-Side-Schalter mit Ausgangsdiagnosefunktion für die Automobilindustrie
BV1LE160EFJ-C
BV1LE160EFJ-C
IPD 1-kanaliger Low-Side-Schalter mit Ausgangsdiagnosefunktion für die Automobilindustrie
Der BV1LE160EFJ-C ist ein 1-Kanal Low-Side-Switch für 12V-Automobilanwendungen. Er verfügt über eine integrierte OCP-, Dual-TSD- und Active-Clamp-Funktion. Es ist mit einer Ausgangsdiagnosefunktion für TSD ausgestattet.
Produktdetails
Funktionalen Sicherheit:
Kategorie : FS supportive
A product that has been developed for automotive use and is capable of supporting safety analysis with regard to the functional safety.
Spezifikationen:
Generation
GEN2
Function
Standard / Error Flag
Channel Number [ch]
1
Drain-Source Voltage (Max.)[V]
40
Output Current[A]
5
ON Resistance(Max.)[mΩ]
400
ON Resistance(Typ.)[mΩ]
160
Over Current Detect [A]
5
Active Clamp Energy [mJ]
90
Supply Voltage(Min.)[V]
3
Supply Voltage(Max.)[V]
5.5
Current consumption(Typ.)[µA]
100
Thermal Shut Down
Self-restart
Status Terminal
Available
Junction Temperature Tj (Min.)[°C]
-40
Junction Temperature Tj (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
4.9x6 (t=1)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Built-in Dual TSD(This IC has thermal shutdown(Junction temperature detect) and ΔTj Protection(Power-MOS steep temperature rising detect))
- AEC-Q100 Qualified(Grade1)
- Built-in Over Current Protection Function(OCP)
- Built-in Active Clamp Function
- Direct Control Enabled from CMOS Logic IC, etc.
- On Resistance RDS(ON) = 160mΩ(Typ)
(when VIN = 5V, IOUT = 1.0A, Tj = 25℃) - Monolithic Power Management IC with the Control Block(CMOS) and Power MOS FET Mounted on a Single Chip
