LTR100JZPFL
Leistungsstarke Chip-Widerstände
LTR100JZPFL
Leistungsstarke Chip-Widerstände
ROHMs niederohmige Hochleistungs-Chipwiderstände zur Stromerfassung sind für PCs, HDDs, Stromversorgungen, Mobiltelefone, Motoren und Automobilanwendungen optimiert. Der LTR100JZPFL verfügt über eine umfangreiche Anschlusskonfiguration mit hoher Temperaturwechselbeständigkeit, die Widerstandsänderungen während der Montage reduziert. Der kürzere Abstand zwischen den Anschlüssen bietet auch eine größere Festigkeit gegen Lötrisse.
Darüber hinaus gewährleistet das einzigartige Bauteildesign eine höhere Nennleistung, die zu einer größeren Miniaturisierung beiträgt, während die optimierte Struktur proprietäre Materialien verwendet, um einen branchenführenden TCR zu erreichen.
Lineup
Produktdetails
Spezifikationen:
Automotive grade
Yes
Size[mm](inch)
3264(1225)
Rated Power[W]
3
Resistance Tolerance
F (±1%)
Resistance range[Ω]
0.1 to 0.91
Resistance(Min.)[Ω]
0.1
Resistance(Max.)[Ω]
0.91
Temperature Coefficient[ppm/°C]
0 to 150
Operating Temperature[°C]
-55 to 155
Type
For current sensing (Wide terminal)
Operating Temperature (Max.)[°C]
155
Common Standard
AEC-Q200 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
・Die Nennleistung ist deutlich verstärkt.・Höhere Lötverbindungs-Festigkeit für Temperaturzyklusprüfung.
Referenzdesign / Anwendungsevaluierungskit
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- Evaluation Board - BM2SCQ123T-EVK-001
Built-in SiC MOSFET Isolation Fly-back Converter QR method Output 48 W 24 V
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- Evaluation Board - BM2SC123FP2-EVK-001
Built-in SiC MOSFET Isolated Fly-back Converter QR method Output 48 W 24 V
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- Evaluation Board - BM2P10B1J-EVK-001
Flyback Type PWM Mode Isolated 12V 2.0A 24W
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- Evaluation Board - BM2P13B1J-EVK-001
Flyback Type PWM Mode Isolated 12V 1.4A 16.8W
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- Reference Design - REFLD002
- Laser Driver Reference Design with GaN HEMT for High-Resolution LiDAR
The range of uses for LiDAR sensors is expanding to include not only autonomous driving, but also applications in the industrial and infrastructure fields. LiDAR sensors are required to have longer sensing distance and higher resolution, and in addition to improving the characteristics of the laser diode, it is necessary to drive the laser diode at higher speeds and power. ROHM offers a lineup of 905nm high power narrow emission width laser diodes. (RLD90QZWx Series) Reference designs are available that includes EcoGAN™, a next-generation device capable of high-speed drive, along with a high-speed gate driver for GaN HEMTs that contribute to improved LiDAR sensor characteristics (distance and resolution) .
- Enables high-speed driving of laser diodes - a key device in LiDAR applications
- Includes next-gen EcoGaN™ devices
- Built-in high-speed gate driver for GaN HEMTs (BD2311NVX-C)
- Two circuit types: square wave and resonant
