S2305
N-Kanal SiC-Leistungs-MOSFET Nacktchip
S2305
S2305
N-Kanal SiC-Leistungs-MOSFET Nacktchip
S2305 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Planar MOSFET. Seine Merkmale sind unter anderem Hochspannungsfestigkeit, niedriger ON-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
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Data Sheet
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
450
Generation
2nd Gen
Drain Current[A]
10
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
· Kleiner Durchlasswiderstand· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kurze Sperrverzögerungszeit
· Einfach parallel zu schalten
· Einfacher Antrieb
