S2306
N-Kanal SiC-Leistungs-MOSFET Nacktchip
S2306
N-Kanal SiC-Leistungs-MOSFET Nacktchip
S2306 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Planar MOSFET. Seine Merkmale sind unter anderem Hochspannungsfestigkeit, niedriger ON-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Für den Kauf von Nacktchips kontaktieren Sie bitte unsere Verkaufsbüros. Im Internet bieten wir derzeit keine Nacktchips zum Kauf an.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
160
Generation
2nd Gen
Drain Current[A]
22
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
· Kleiner Durchlasswiderstand· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kurze Sperrverzögerungszeit
· Einfach parallel zu schalten
· Einfacher Antrieb