S2307
1200V, 68A, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET, Bare Die
S2307
1200V, 68A, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET, Bare Die
Der S2307 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Leistungs-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit.
Für den Verkauf von Bare Dies wenden Sie sich bitte direkt an unsere Vertriebsbüros. Derzeit verkaufen wir Bare Dies nicht über Internet-Distributoren.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
45
Generation
2nd Gen
Drain Current[A]
68
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
· Kleiner Durchlasswiderstand· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kurze Sperrverzögerungszeit
· Einfach parallel zu schalten
· Einfacher Antrieb
