S4003
650V, 118A, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET, Bare Die
S4003
650V, 118A, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET, Bare Die
Der S4003 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit.
Für den Verkauf von Bare Dies wenden Sie sich bitte direkt an unsere Vertriebsbüros. Derzeit verkaufen wir Bare Dies nicht über Internet-Distributoren.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
17
Generation
3rd Gen
Drain Current[A]
118
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive