S4101
N-Kanal SiC-Leistungs-MOSFET Nacktchip
S4101
S4101
N-Kanal SiC-Leistungs-MOSFET Nacktchip
S4101 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Seine Merkmale sind unter anderem hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Für den Kauf von Nacktchips kontaktieren Sie bitte unsere Verkaufsbüros. Im Internet bieten wir derzeit keine Nacktchips zum Kauf an.
Data Sheet
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
40
Generation
3rd Gen
Drain Current[A]
55
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
· Kleiner Durchlasswiderstand· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kurze Sperrverzögerungszeit
· Einfach parallel zu schalten
· Einfacher Antrieb
