S4101

N-Kanal SiC-Leistungs-MOSFET Nacktchip
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S4101

S4101
N-Kanal SiC-Leistungs-MOSFET Nacktchip

S4101 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Seine Merkmale sind unter anderem hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
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* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
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Produktdetails

 
Teilenummer | S4101
Status | Aktiv
Gehäuse |
Einheitenmenge |
Minimale Gehäusemenge |
Gehäusetyp |
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

40

Generation

3rd Gen

Drain Current[A]

55

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

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Eigenschaften:

· Kleiner Durchlasswiderstand
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kurze Sperrverzögerungszeit
· Einfach parallel zu schalten
· Einfacher Antrieb
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