N-Kanal SiC-Leistungs-MOSFET Nacktchip - S4101

S4101 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Seine Merkmale sind unter anderem hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Für den Kauf von Nacktchips kontaktieren Sie bitte unsere Verkaufsbüros. Im Internet bieten wir derzeit keine Nacktchips zum Kauf an.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | S4101
Status | Aktiv
Gehäuse |
Einheitenmenge |
Minimale Gehäusemenge |
Gehäusetyp |
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]

40.0

Drain Current[A]

55.0

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

· Kleiner Durchlasswiderstand
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kurze Sperrverzögerungszeit
· Einfach parallel zu schalten
· Einfacher Antrieb