ROHM Product Detail

S4102

N-Kanal Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET Nacktchip
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S4102

S4102
N-Kanal Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET Nacktchip

S4102 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Seine Merkmale sind unter anderem Hochspannungsfestigkeit, niedriger ON-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
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* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
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Produktdetails

 
Teilenummer | S4102
Status | Aktiv
Gehäuse |
Einheitenmenge | 0
Minimale Gehäusemenge | 0
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

30

Generation

3rd Gen

Drain Current[A]

72

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
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