S4102
N-Kanal Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET Nacktchip

S4102 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Seine Merkmale sind unter anderem Hochspannungsfestigkeit, niedriger ON-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
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Produktdetails

 
Teilenummer | S4102
Status | Aktiv
Gehäuse |
Einheitenmenge |
Minimale Gehäusemenge |
Gehäusetyp |
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]

30.0

Drain Current[A]

72.0

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive

Ressourcen entwerfen

 

Unterlagen

White Paper

  • Cutting-Edge Web Simulation Tool “ROHM Solution Simulator” Capable of Complete Circuit Verification of Power Devices and Driver ICs
  • LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units

Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • [NEW]Application Note for SiC Power Devices and Modules
  • Calculation of Power Dissipation in Switching Circuit
  • Method for Monitoring Switching Waveform
  • Importance of Probe Calibration When Measuring Power: Deskew
  • Impedance Characteristics of Bypass Capacitor

Thermal Design

  • Method for Calculating Junction Temperature from Transient Thermal Resistance Data
  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • Two-Resistor Model for Thermal Simulation
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
  • What is a Thermal Model? (SiC Power Device)
  • How to Use Thermal Models
  • Measurement Method and Usage of Thermal Resistance RthJC
  • Precautions When Measuring the Rear of the Package with a Thermocouple

Design Tools

Models

  • S4102 SPICE Model
  • How to Create Symbols for PSpice Models