S4102
N-Kanal Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET Nacktchip
S4102
N-Kanal Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET Nacktchip
S4102 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Seine Merkmale sind unter anderem Hochspannungsfestigkeit, niedriger ON-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Für den Kauf von Nacktchips kontaktieren Sie bitte unsere Verkaufsbüros. Im Internet bieten wir derzeit keine Nacktchips zum Kauf an.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
30
Generation
3rd Gen
Drain Current[A]
72
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive