S4107
1200V, 24A, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET, Bare Die

Der S4107 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit.
Für den Verkauf von Bare Dies wenden Sie sich bitte direkt an unsere Vertriebsbüros. Derzeit verkaufen wir Bare Dies nicht über Internet-Distributoren.

Data Sheet
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.

Produktdetails

 
Teilenummer | S4107
Status | Aktiv
Gehäuse |
Einheitenmenge |
Minimale Gehäusemenge |
Gehäusetyp |
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]

105.0

Generation

3rd Gen

Drain Current[A]

24.0

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive