Models
- S4107 SPICE Simulation Evaluation Circuit
- S4107 SPICE Thermal Model
Der S4107 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit.
Für den Verkauf von Bare Dies wenden Sie sich bitte direkt an unsere Vertriebsbüros. Derzeit verkaufen wir Bare Dies nicht über Internet-Distributoren.
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
105
Generation
3rd Gen
Drain Current[A]
24
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175