S4107
1200V, 24A, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET, Bare Die
S4107
1200V, 24A, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET, Bare Die
Der S4107 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit.
Für den Verkauf von Bare Dies wenden Sie sich bitte direkt an unsere Vertriebsbüros. Derzeit verkaufen wir Bare Dies nicht über Internet-Distributoren.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
105
Generation
3rd Gen
Drain Current[A]
24
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
