Abgekündigt
SCH2080KE
SiC-MOSFET
SCH2080KE
Abgekündigt
SCH2080KE
SiC-MOSFET
Die Produktion wurde bereits eingestellt. Nicht für den Verkauf verfügbar.
Produktdetails
Teilenummer | SCH2080KEC
Status |
Abgekündigt
Gehäuse |
TO-247
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 360
Minimale Gehäusemenge | 30
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
80
Generation
2nd Gen (Planar)
Drain Current[A]
40
Total Power Dissipation[W]
262
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
20.95x15.9 (t=5.21)
Eigenschaften:
・Hochgeschwindigkeitsschalten・Niedriger Einschaltwiderstand
・Body-Diode mit geringem Qrr und trr
・Gewährleistete Zuverlässigkeit der Body-Dioden-Leitung
・SiC SBD in einem Gehäuse
