SCT2080KE
SiC-MOSFET
SCT2080KE
SiC-MOSFET
Dies ist ein planarer SiC (Siliziumkarbid)-MOSFET. (SiC-SBD nicht gemeinsam verpackt) Zu den Eigenschaften gehören die hohe Spannungsfestigkeit, der geringe ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
80
Generation
2nd Gen (Planar)
Drain Current[A]
40
Total Power Dissipation[W]
262
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
・Hochgeschwindigkeitsschalten・Niedriger Einschaltwiderstand
・Body-Diode mit geringem Qrr und trr
・Gewährleistete Zuverlässigkeit der Body-Dioden-Leitung
