SCT2080KE
SiC-MOSFET

Dies ist ein planarer SiC (Siliziumkarbid)-MOSFET. (SiC-SBD nicht gemeinsam verpackt) Zu den Eigenschaften gehören die hohe Spannungsfestigkeit, der geringe ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.

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Produktdetails

 
Teilenummer | SCT2080KEGC11
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-247N
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

80.0

Generation

2nd Gen (Planar)

Drain Current[A]

40.0

Total Power Dissipation[W]

262

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x21 (t=5.2)

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Eigenschaften:

・Hochgeschwindigkeitsschalten
・Niedriger Einschaltwiderstand
・Body-Diode mit geringem Qrr und trr
・Gewährleistete Zuverlässigkeit der Body-Dioden-Leitung

Evaluation
Board

 
    • Evaluation Board
    • P01SCT2080KE-EVK-001
      • Optimized for evaluating ROHM's SCT2080KE SiC planar MOSFET (1200V/80mΩ); supports other ROHM SiC MOSFETs by changing circuit settings.
      • Evaluates MOSFETs and IGBTs at 1200V/5A (if item has a built-in inductor), 100kHz
      • Generates positive and negative bias voltages for the upper and lower arms from a single 12VDC system
      • Generates an internal gate signal for double pulse testing
      • Allows for evaluation of DC/DC converters via external supply signal
      • Flywheel enables selection of MOS body diodes, external diodes, and reverse conduction

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