SiC-MOSFET - SCT2080KE

Dies ist ein planarer SiC (Siliziumkarbid)-MOSFET. (SiC-SBD nicht gemeinsam verpackt) Zu den Eigenschaften gehören die hohe Spannungsfestigkeit, der geringe ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | SCT2080KEC
Status | Active
Gehäuse | TO-247
Einheitenmenge | 360
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

80.0

Drain Current[A]

40.0

Total Power Dissipation[W]

262

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

・Hochgeschwindigkeitsschalten
・Niedriger Einschaltwiderstand
・Body-Diode mit geringem Qrr und trr
・Gewährleistete Zuverlässigkeit der Body-Dioden-Leitung