Abgekündigt
SCT2120AF
SiC-MOSFET
SCT2120AF
Abgekündigt
SCT2120AF
SiC-MOSFET
Die Produktion wurde bereits eingestellt. Nicht für den Verkauf verfügbar.
Produktdetails
Teilenummer | SCT2120AFC
Status |
Abgekündigt
Gehäuse |
TO-220AB
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
120
Generation
2nd Gen (Planar)
Drain Current[A]
29
Total Power Dissipation[W]
165
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.94x10.33 (t=4.65)
Eigenschaften:
・ Low on-resistance・ Fast switching speed
・ Fast reverse recovery
・ Easy to parallel
・ Simple to drive
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
