SiC-MOSFET - SCT2120AF

N-Kanal-Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungs-MOSFET (650 V, 29 A)

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | SCT2120AFC
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-220AB
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

650

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

120.0

Drain Current[A]

29.0

Total Power Dissipation[W]

165

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

・ Low on-resistance
・ Fast switching speed
・ Fast reverse recovery
・ Easy to parallel
・ Simple to drive
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant