ROHM Product Detail

SCT2750NWC (Neues Produkt)

1700V, 5.6A, 7-poliges SMD, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
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SCT2750NWC
(Neues Produkt)

SCT2750NWC (Neues Produkt)
1700V, 5.6A, 7-poliges SMD, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

Der SCT2750NWC ist ein planarer SiC (Siliziumkarbid) MOSFET. (SiC-SBD nicht mitverpackt) Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.

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Produktdetails

 
Teilenummer | SCT2750NWCTL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-263CA-7LSHYAD
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 800
Minimale Gehäusemenge | 800
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

750

Generation

2nd Gen (Planar)

Drain Current[A]

5.6

Total Power Dissipation[W]

53

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

15.5x10.2 (t=4.7)

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Eigenschaften:

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • Große Kriechstrecke = 6,1 mm
  • Einfach anzusteuern
  • Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
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