ROHM Product Detail

Letztmalig zu kaufen SCT2750NY
N-Kanal Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET

Die Einstellung von Produkten (EOL) wurde angekündigt.

Produktdetails

 
Teilenummer | SCT2750NYTB
Gehäuse | TO-268-2L
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 800
Minimale Gehäusemenge | 800
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

750

Generation

2nd Gen (Planar)

Drain Current[A]

6

Total Power Dissipation[W]

57

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

18.9x15.95 (t=5.2)

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance with no center lead
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
X

Most Viewed