SCT2H12NWB (Neues Produkt)
1700 V, 3,9 A, 7-poliges SMD, Siliziumkarbid-MOSFET (SiC)
SCT2H12NWB (Neues Produkt)
1700 V, 3,9 A, 7-poliges SMD, Siliziumkarbid-MOSFET (SiC)
SCT2H12NWB ist ein planares SiC-MOSFET (Siliziumkarbid). (SiC-SBD nicht mitverpackt) Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1700
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
1150
Generation
2nd Gen (Planar)
Drain Current[A]
3.9
Total Power Dissipation[W]
39
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.5x10.2 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Großer Kriechabstand = 6,1 mm
- Einfach anzusteuern
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
