N-Kanal Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET - SCT2H12NY
Dies ist ein planarer SiC (Siliziumkarbid)-MOSFET. Zu den Eigenschaften gehören die hohe Spannungsfestigkeit, der geringe ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
×
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1700
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
1150.0
Drain Current[A]
4.0
Total Power Dissipation[W]
44
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Long creepage distance with no center lead
- Simple to drive
- Pb-free lead plating; RoHS compliant