SCT2H12NY
N-Kanal Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET

Dies ist ein planarer SiC (Siliziumkarbid)-MOSFET. Zu den Eigenschaften gehören die hohe Spannungsfestigkeit, der geringe ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.

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Produktdetails

 
Teilenummer | SCT2H12NYTB
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-268-2L
Einheitenmenge | 800
Minimale Gehäusemenge | 800
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150.0

Generation

2nd Gen (Planar)

Drain Current[A]

4.0

Total Power Dissipation[W]

44

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

15.95x18.9 (t=5.2)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance with no center lead
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
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